SSD нового покоління.

Створення технологи записи в кожну клітинку незалежній пам'яті кількох біт даних дозволило істотно підвищити щільність запису і здешевити випуск ємних твердотільних накопичувачів.

 

Правда, за це довелося заплатити швидким зносом осередків пам'яті. Пам'ять PCM (пам'ять зі зміною фази) з записом даних в осередок з допомогою зміни фазового стану речовини захищена від зносу, властивого осередку пам'яті NAND-флеш з зберіганням заряду. Теоретично пам'ять PCM може витримати до 10 млн циклів перезапису, що на кілька порядків більше, ніж в разі типу NAND. Але в іншої істотний недолік PCM - дуже маленька щільність запису. Це в значній мірі заважає масовому поширенню незалежній пам'яті PCM, хоча у виробництві вона перебуває вже близько десяти років.

Кардинальним чином змінити розстановку сил на ринку "флеш-пам'яті" збирається команда розробників компанії IBM. Днями в Парижі на конференції IEEE International Memory Workshop представники цюріхського відділення IBM показали робочий прототип першої в індустрії пам'яті PCM з можливістю запису в кожну клітинку трьох біт даних. Іншими словами, в компанії змогли потроїти ємність чіпа PCM, не зменшуючи її масштаб техпроцесу і не знижуючи обсяг осередку. Це обіцяє привести до Більш широкого використання в пам'яті PCM призначен в пристроях заміни пам'яті і пам'яті NAND пам'яті DRAM одночасно, по адже роботи ПАМ'ЯТЬ швидкості PCM ближче до швидкості роботи оперативної пам'яті, ніж до актуальної пам'яті NAND енергонезалежною.